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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
104
Intorno -447% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
19
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3165
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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