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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
104
Intorno -215% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
33
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3374
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
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