Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 16.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,404.5 left arrow 12.2
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    21 left arrow 104
    Intorno -395% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    104 left arrow 21
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,192.0 left arrow 16.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,404.5 left arrow 12.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    786 left arrow 3332
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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