RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
104
Intorno -206% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
34
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3429
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link