RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
104
Intorno -420% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
20
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2939
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link