RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3503
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link