RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
104
Intorno -420% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
20
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3462
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link