RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
104
Intorno -247% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
30
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3334
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link