RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
104
Intorno -259% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
29
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3490
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link