RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
104
Intorno -352% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
23
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
21.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
4151
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link