RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
104
Intorno -395% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
21
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3255
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link