RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
104
Intorno -316% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
25
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2261
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link