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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
104
Intorno -316% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
25
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2871
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
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