RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
24.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
104
Intorno -225% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
32
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
24.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
4001
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link