RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
104
Intorno -247% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
30
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3496
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link