RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
104
Intorno -285% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
27
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3683
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link