RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3637
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link