RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
74
104
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
74
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1779
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link