RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
104
Intorno -316% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
25
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2346
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link