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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs INTENSO 5641162 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641162 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 5641162 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
104
Intorno -352% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
23
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2799
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
INTENSO 5641162 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
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