RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
99
104
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
99
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1358
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link