RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
104
Intorno -206% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
34
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3119
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link