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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
104
Intorno -174% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.7
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
38
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
8.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1999
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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