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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
104
Intorno -73% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
60
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2511
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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