RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
104
Intorno -478% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
18
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3597
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link