RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
104
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
62
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1891
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link