RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Confronto
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,072.7
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
75
Intorno -142% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
31
Velocità di lettura, GB/s
2,730.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,072.7
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3711
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link