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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,072.7
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
75
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
31
读取速度,GB/s
2,730.3
18.0
写入速度,GB/s
2,072.7
14.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
3711
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
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