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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.2
19.0
写入速度,GB/s
8.6
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3671
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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