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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
75
Por volta de -142% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
14.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3711
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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