RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,574.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
3,858.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,574.4
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
607
2780
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link