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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
74
Intorno -164% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
28
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2932
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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