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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Motivi da considerare
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
25
Velocità di lettura, GB/s
7.2
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
1858
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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