RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
22.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
74
Intorno -155% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
29
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
22.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3792
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link