RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
74
Intorno -131% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
32
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2804
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link