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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
74
左右 -131% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
32
读取速度,GB/s
4,178.4
11.4
写入速度,GB/s
2,201.1
12.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2804
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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