RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
74
Intorno -147% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
30
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3537
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link