RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
74
Intorno -139% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
31
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3126
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link