RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
74
Intorno -174% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
27
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3293
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link