RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
74
Intorno -147% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
30
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2659
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link