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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
74
Intorno -155% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
29
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3748
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
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