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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
74
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
29
读取速度,GB/s
4,178.4
18.2
写入速度,GB/s
2,201.1
16.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3748
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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