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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
42
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
42
读取速度,GB/s
11.4
14.7
写入速度,GB/s
7.4
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2476
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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