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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
13.2
15.9
写入速度,GB/s
9.1
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2831
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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