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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
74
Intorno -196% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
25
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
1617
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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