RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
74
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
13.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
1617
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link