RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
74
Intorno -164% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
28
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3673
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link