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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
74
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
56
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2071
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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