RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
74
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2071
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link