RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
74
Intorno -155% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
29
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2832
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link